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Cette présentation explore les semi-conducteurs et leurs propriétés électroniques. Elle commence par la structure de bandes, expliquant les différences entre conducteurs, isolants et semi-conducteurs selon la largeur du gap. Des méthodes comme LCAO, OPW et l’approximation de la masse effective sont utilisées pour modéliser ces structures. Le dopage est ensuite abordé, permettant d’introduire des porteurs libres (électrons ou trous) et de modifier la conduction. On distingue les types N et P selon le type de dopants utilisés. La position du niveau de Fermi et les régimes de conduction (intrinsèque, gel, épuisement) sont présentés. L’effet Hall est étudié pour identifier le type de porteurs et mesurer des grandeurs physiques. L’effet Hall quantique est introduit dans des conditions extrêmes. Il révèle des comportements quantiques remarquables. La présentation met en évidence l’importance des semi-conducteurs dans la microélectronique moderne.
